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MOSFET Nexperia BSS84,215, VDSS 50 V, ID 130 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-4368091
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     BSS84,215
EAN/GTIN:
     5059041908900
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal P, Nexperia
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
50 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
10 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2V
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.8V
Disipación de Potencia Máxima:
250 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 4368091, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Nexperia, BSS84,215
Resumen de condiciones1
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