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MOSFET onsemi HUF75639P3, VDSS 100 V, ID 56 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-3291013
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     HUF75639P3
EAN/GTIN:
     5059042813364
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas. Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, reguladores de conmutación, controladores de motor, interruptores de bus de baja tensión y administración de potencia.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
56 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220AB
Serie:
UltraFET
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
25 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
200 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 3291013, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, HUF75639P3
Resumen de condiciones1
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Tipo
Imagen
Artículo
Fabricante/N.º
Precio
Accesorios
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