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MOSFET onsemi RFP12N10L, VDSS 100 V, ID 12 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-295703
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     RFP12N10L
EAN/GTIN:
     5059042834383
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220AB
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
200 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
1V
Disipación de Potencia Máxima:
60 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-10 V, +10 V
Longitud:
10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, transistor de efecto de campo, 295703, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, RFP12N10L
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Accesorios
Soldador eléctrico RS PRO KD-40, 230V, 40W, Conector Británico
RS Pro
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