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MOSFET Vishay SIRS4600DP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 334 A, SO-8 de 8 pines


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2799968
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIRS4600DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 334 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V
Tipo de Encapsulado = SO-8
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Modo de Canal = Mejora
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
334 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
SO-8
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Modo de Canal:
Mejora
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: 2799968, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIRS4600DPT1RE3
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 8.604,00*
1 envase contiene 3.000 unidades (€ 2,868* por unidad)
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