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MOSFET Vishay SIJH5100E-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 277 A, 8 x 8L de 4 pines


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2799938
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIJH5100E-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
2799938
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 277 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V
Tipo de Encapsulado = 8 x 8L
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 4
Modo de Canal = Mejora
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
277 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
8 x 8L
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
4
Modo de Canal:
Mejora
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: Vishay, SIJH5100ET1GE3
Resumen de condiciones1
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a partir de 250 unidades
€ 4,772*
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€ 4,683*
€ 5,666
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