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MOSFET Vishay SIJ4819DP-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 44,4 A, SO-8L de 7 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2799936
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIJ4819DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
2799936
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
Tipo de Canal = P
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 44,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V
Tipo de Encapsulado = SO-8L
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 7
Modo de Canal = Mejora
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
44,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
80 V
Tipo de Encapsulado:
SO-8L
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
7
Modo de Canal:
Mejora
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: Vishay, SIJ4819DPT1GE3
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
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Precio
a partir de € 1,543*
  
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a partir de 100 unidades
€ 1,612*
€ 1,951
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a partir de 240 unidades
€ 1,577*
€ 1,908
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a partir de 1000 unidades
€ 1,543*
€ 1,867
por unidad
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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