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MOSFET Vishay SIHR080N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 51 A, 8 x 8LR de 8 pines


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2799928
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHR080N60E-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
2799928
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 51 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V
Tipo de Encapsulado = 8 x 8LR
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Modo de Canal = Mejora
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
51 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
8 x 8LR
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Modo de Canal:
Mejora
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: Vishay, SIHR080N60ET1GE3
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 15.633,00*
1 envase contiene 3.000 unidades (€ 5,211* por unidad)
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