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MOSFET Vishay SIHP054N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 47 A, TO-220AB de 3 pines


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2799922
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHP054N65E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 47 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Tipo de Encapsulado = TO-220AB
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 3
Modo de Canal = Mejora
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
47 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220AB
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Modo de Canal:
Mejora
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: 2799922, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHP054N65EGE3
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