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MOSFET Vishay SIHK155N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 18 A, 10 x 12 de 8 pines


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2799918
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHK155N60EF-T1GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V
Tipo de Encapsulado = 10 x 12
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Modo de Canal = Mejora
Material del transistor = Silicio
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
10 x 12
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Modo de Canal:
Mejora
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: 2799918, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHK155N60EFT1GE3
Resumen de condiciones1
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