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MOSFET Vishay SI1480BDH-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 1,9 A, SOT-363 de 6 pines


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2799890
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI1480BDH-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 1,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V
Tipo de Encapsulado = SOT-363
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 6
Modo de Canal = Mejora
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
1,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-363
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
6
Modo de Canal:
Mejora
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: 2799890, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SI1480BDHT1GE3
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 555,00*
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