N.º art.: 3318E-2688312
N.º fabricante: SIHK125N60EF-T1GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal = N
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
21 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
PowerPAK 10 x 12
Tipo de Montaje:
Montaje en PCB
Conteo de Pines:
8
Modo de Canal:
Mejora
Número de Elementos por Chip:
2
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
2688312 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Vishay ,
SIHK125N60EFT1GE3
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