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MOSFET Vishay SIHK105N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 24 A, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines, 2elementos


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2688311
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHK105N60E-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
2688311
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Tipo de Encapsulado = PowerPAK 10 x 12
Tipo de Montaje = Montaje en PCB
Conteo de Pines = 8
Modo de Canal = Mejora
Número de Elementos por Chip = 2
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
PowerPAK 10 x 12
Tipo de Montaje:
Montaje en PCB
Conteo de Pines:
8
Modo de Canal:
Mejora
Número de Elementos por Chip:
2
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: Vishay, SIHK105N60ET1GE3
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
a partir de € 2,976*
  
Precio válido a partir de 1.000 unidades
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a partir de 100 unidades
€ 3,946*
€ 4,775
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a partir de 250 unidades
€ 3,867*
€ 4,679
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a partir de 1000 unidades
€ 2,976*
€ 3,601
por unidad
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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