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MOSFET Vishay SIHK085N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 30 A, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines, 2elementos


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2688306
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHK085N60EF-T1GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Tipo de Encapsulado = PowerPAK 10 x 12
Tipo de Montaje = Montaje en PCB
Conteo de Pines = 8
Modo de Canal = Mejora
Número de Elementos por Chip = 2
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
PowerPAK 10 x 12
Tipo de Montaje:
Montaje en PCB
Conteo de Pines:
8
Modo de Canal:
Mejora
Número de Elementos por Chip:
2
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: 2688306, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHK085N60EFT1GE3
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 12.602,00*
1 envase contiene 2.000 unidades (€ 6,301* por unidad)
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