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MOSFET Vishay SIHG085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, TO-247AC de 3 pines, 2elementos


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2688296
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHG085N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Tipo de Encapsulado = TO-247AC
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 3
Modo de Canal = Mejora
Número de Elementos por Chip = 2
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247AC
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Modo de Canal:
Mejora
Número de Elementos por Chip:
2
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: 2688296, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHG085N60EFGE3
Resumen de condiciones1
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€ 94,575*
€ 114,436
por envase
a partir de 40 envases
€ 79,80*
€ 96,558
por envase
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