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MOSFET Vishay SIHB080N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 35 A, TO-263 de 3 pines, 2elementos


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2688290
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHB080N60E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V
Tipo de Encapsulado = TO-263
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Modo de Canal = Mejora
Número de Elementos por Chip = 2
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
TO-263
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Modo de Canal:
Mejora
Número de Elementos por Chip:
2
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: 2688290, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHB080N60EGE3
Resumen de condiciones1
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a partir de 500 unidades
€ 3,178*
€ 3,845
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