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MOSFET Infineon IPB013N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 190 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2625846
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPB013N06NF2SATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 190 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V
Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Modo de Canal = Mejora
Número de Elementos por Chip = 2
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
190 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
PG-TO263-3
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Modo de Canal:
Mejora
Número de Elementos por Chip:
2
Material del transistor:
SiC
Otros conceptos de búsqueda: 2625846, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPB013N06NF2SATMA1
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
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Precio
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