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IGBT, FF50R12RT4HOSA1, 50 A, 1.200 V, AG-34MM 2


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2608888
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FF50R12RT4HOSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V
Número de transistores = 2
Tipo de Encapsulado = AG-34MM
Tipo de Montaje = Montaje en panel
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
285 W
Número de transistores:
2
Configuración:
Doble
Tipo de Encapsulado:
AG-34MM
Tipo de Montaje:
Montaje en panel
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de potencia, Transistores, Transistor, transistor igbt, 2608888, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FF50R12RT4HOSA1
Resumen de condiciones1
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a partir de 5 unidades
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€ 112,903
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a partir de 10 unidades
€ 89,70*
€ 108,54
por unidad
a partir de 50 unidades
€ 87,92*
€ 106,38
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