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IGBT, FF50R12RT4HOSA1, 50 A, 1200 V, AG-34MM 2


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2608887
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FF50R12RT4HOSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
transistor de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V
Disipación de Potencia Máxima = 285 W
Tipo de Encapsulado = AG-34MM
Tipo de Montaje = Montaje en panel
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
285 W
Número de transistores:
2
Configuración:
Doble
Tipo de Encapsulado:
AG-34MM
Tipo de Montaje:
Montaje en panel
Otros conceptos de búsqueda: 2608887, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FF50R12RT4HOSA1
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
a partir de € 84,013*
  
Precio válido a partir de 50 unidades
Pedidos sólo en múltiplos de 10 unidades
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Precios escalonados
Cantidad de pedido
Neto
Bruto
Unidad
a partir de 10 unidades
€ 85,717*
€ 103,718
por unidad
a partir de 50 unidades
€ 84,013*
€ 101,656
por unidad
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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