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MOSFET Vishay SI5513CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, ChipFET 1206-8


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2567373
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI5513CDC-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
2567373
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
Tipo de Canal = N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V
Tipo de Encapsulado = ChipFET 1206-8
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Más información:
Tipo de Canal:
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
ChipFET 1206-8
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Otros conceptos de búsqueda: Vishay, SI5513CDCT1GE3
Resumen de condiciones1
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