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MOSFET Vishay SI1062X-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 530 mA, SC-89


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2567339
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI1062X-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
2567339
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 530 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V
Tipo de Encapsulado = SC-89
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
530 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
SC-89
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Otros conceptos de búsqueda: Vishay, SI1062XT1GE3
Resumen de condiciones1
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