N.º art.: 3318E-2520263
N.º fabricante: SIHK055N60EF-T1GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 10 x 12 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
PowerPAK 10 x 12
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Diodo PIN ,
Diodos PIN ,
Diodo SMD ,
Diodos SMD ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
diodos smd ,
2520263 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Vishay ,
SIHK055N60EFT1GE3
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