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Módulo IGBT, FF900R17ME7B11BPSA1, 900 MHZ, 1700 V 2


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2500227
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FF900R17ME7B11BPSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 900 MHZ
Tensión Máxima Colector-Emisor = 1700 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V
Disipación de Potencia Máxima = 20 mW
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
900 MHZ
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1700 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
20 mW
Número de transistores:
2
Otros conceptos de búsqueda: transistor de potencia, 2500227, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FF900R17ME7B11BPSA1
Resumen de condiciones1
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a partir de 3 unidades
€ 291,833*
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