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Módulo MOSFET Infineon F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 100 A, AG-EASY2B


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2500217
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V
Tipo de Encapsulado = AG-EASY2B
Tipo de Montaje = Montaje roscado
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
1200 V
Tipo de Encapsulado:
AG-EASY2B
Tipo de Montaje:
Montaje roscado
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 2500217, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
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Accesorios
Driver de puerta MOSFET 1ED3122MC12HXUMA1, CMOS 9 A PG-DSO-8 8 pines
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1ED3122MC12HXUMA1
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Accesorios
Driver de puerta MOSFET 1ED3241MC12HXUMA1, CMOS 18 A PG-DSO-8-66 8 pines
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1ED3241MC12HXUMA1
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Accesorios
Módulo controlador de puerta 1ED3890MC12MXUMA1, 9 A PG-DSO-16 16 pines
Infineon
1ED3890MC12MXUMA1
a partir de € 3,88*
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