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MOSFET ROHM RW4E065GNTCL1, VDSS 30 V, ID 6,5 A, HEML1616L7


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2491135
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RW4E065GNTCL1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 6,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V
Tipo de Encapsulado = HEML1616L7
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
6,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
HEML1616L7
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 2491135, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, RW4E065GNTCL1
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