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MOSFET Infineon IMBG65R260M1HXTMA1, VDSS 650 V, ID 6 A, TO-263-7 de 7 pines


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2489329
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IMBG65R260M1HXTMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Tipo de Encapsulado = TO-263-7
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 7
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
TO-263-7
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
7
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 2489329, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IMBG65R260M1HXTMA1
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Accesorios
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Accesorios
Módulo controlador de puerta 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS 10 A PG-DSO-8 8 pines
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
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Accesorios
Módulo controlador de puerta 1ED3890MC12MXUMA1, 9 A PG-DSO-16 16 pines
Infineon
1ED3890MC12MXUMA1
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