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MOSFET Infineon IMBG65R022M1HXTMA1, VDSS 650 V, ID 64 A, TO-263-7 de 7 pines


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2489309
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IMBG65R022M1HXTMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 64 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Tipo de Encapsulado = TO-263-7
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 7
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
64 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
TO-263-7
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
7
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: 2489309, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IMBG65R022M1HXTMA1
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 11.255,00*
1 envase contiene 1.000 unidades (€ 11,255* por unidad)
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