| |
|
| N.º art.: 3318E-2466786 N.º fabricante: DMN10H6D2LFDB-7 EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| | |
| Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 270 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = U-DFN2020 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 10 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 2V Número de Elementos por Chip = 2 Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 270 mA | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 100 V | Tipo de Encapsulado: | U-DFN2020 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 6 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 10 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2V | Número de Elementos por Chip: | 2 |
|
| | |
| | | |
| Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, transistor de potencia, 2466786, Semiconductores, Semiconductores Discretos, DiodesZetex, DMN10H6D2LFDB7 |
| | |
| |