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MOSFET ROHM SCT4062KRC15, VDSS 1.200 V, ID 26 A, TO-247-4L


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2461554
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     SCT4062KRC15
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 26 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V
Tipo de Encapsulado = TO-247-4L
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
26 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
1.200 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247-4L
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 2461554, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, SCT4062KRC15
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Placa de evaluación SiC MOSFET ROHM 4th Generation SiC MOSFET Half Bridge Evaluation Board - P05SCT4018KR-EVK-001
ROHM Semiconductor
P05SCT4018KR-EVK-001
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