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Módulo IGBT, FS950R08A6P2BBPSA1, 950 A, 750 V, HybridPACK 6


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2445877
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FS950R08A6P2BBPSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 950 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 750 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V
Disipación de Potencia Máxima = 870 W
Tipo de Encapsulado = HybridPACK
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
950 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
750 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
870 W
Número de transistores:
6
Tipo de Encapsulado:
HybridPACK
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, transistor de potencia, 2445877, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FS950R08A6P2BBPSA1
Resumen de condiciones1
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€ 3.764,988*
1 envase contiene 6 unidades (€ 627,498* por unidad)
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