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Módulo IGBT, FP50R12KE3BOSA1, 75 A, 1200 V 7


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2445834
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FP50R12KE3BOSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V
Número de transistores = 7
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
75 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
280 W
Número de transistores:
7
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, transistor de potencia, 2445834, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FP50R12KE3BOSA1
Resumen de condiciones1
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Precio
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