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Módulo IGBT, FF900R12IP4BOSA2, 900 A, 1200 V 2


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2445829
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FF900R12IP4BOSA2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 900 MHZ
Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V
Disipación de Potencia Máxima = 5,1 kW
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
900 MHZ
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
5,1 kW
Número de transistores:
2
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, transistor de potencia, 2445829, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FF900R12IP4BOSA2
Resumen de condiciones1
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