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Módulo IGBT, FS150R12KT4B11BOSA1, 150 A, 1200 V 6


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2445408
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FS150R12KT4B11BOSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 150 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V
Disipación de Potencia Máxima = 750 W
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
150 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
+/-20V
Disipación de Potencia Máxima:
750 W
Número de transistores:
6
Otros conceptos de búsqueda: transistor de potencia, 2445408, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FS150R12KT4B11BOSA1
Resumen de condiciones1
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Precio
a partir de € 137,739*
  
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€ 185,172
por unidad
a partir de 3 unidades
€ 137,739*
€ 166,664
por unidad
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