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Módulo IGBT, FP15R12W1T4BOMA1, 28 A, 1200 V 7


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2445385
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FP15R12W1T4BOMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 28 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V
Número de transistores = 7
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
28 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
+/-20V
Disipación de Potencia Máxima:
130 W
Número de transistores:
7
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de potencia, Transistores, Transistor, transistor igbt, 2445385, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FP15R12W1T4BOMA1
Resumen de condiciones1
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a partir de € 827,52*
  
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Bruto
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a partir de 2 envases
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