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IGBT, FGH4L50T65SQD, 200 A, 650 V, TO-247-4LD 30


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2410725
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FGH4L50T65SQD
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistores
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V
Número de transistores = 30
Tipo de Encapsulado = TO-247-4LD
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
200 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
15V
Disipación de Potencia Máxima:
268 W
Número de transistores:
30
Tipo de Encapsulado:
TO-247-4LD
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor igbt, 2410725, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, onsemi, FGH4L50T65SQD
Resumen de condiciones1
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por envase
a partir de 3 envases
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