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MOSFET Vishay SIHK125N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 21 A, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2398638
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHK125N60E-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
2398638
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 21 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Tipo de Encapsulado = PowerPAK 10 x 12
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
21 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
PowerPAK 10 x 12
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Vishay, SIHK125N60ET1GE3
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
a partir de € 3,57*
  
Precio válido a partir de 200 unidades
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a partir de 50 unidades
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por unidad
a partir de 100 unidades
€ 3,812*
€ 4,613
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a partir de 200 unidades
€ 3,57*
€ 4,32
por unidad
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