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MOSFET Vishay SIHK065N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2395379
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHK065N60E-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
2395379
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Tipo de Encapsulado = PowerPAK 10 x 12
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
PowerPAK 10 x 12
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Vishay, SIHK065N60ET1GE3
Resumen de condiciones1
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a partir de 50 unidades
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€ 5,188*
€ 6,277
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