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Módulo IGBT, FZ825R33HE4DBPSA1, 825 A., 3300 V., AG-IHVB130 2


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2365199
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FZ825R33HE4DBPSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 825 A.
Tensión Máxima Colector-Emisor = 3300 V.
Número de transistores = 2
Configuración = Único
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
825 A.
Tensión Máxima Colector-Emisor:
3300 V.
Disipación de Potencia Máxima:
2400 kW
Número de transistores:
2
Configuración:
Único
Tipo de Encapsulado:
AG-IHVB130
Otros conceptos de búsqueda: transistor de potencia, 2365199, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FZ825R33HE4DBPSA1
Resumen de condiciones1
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Precio
€ 1.080,477*
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