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MOSFET Toshiba SSM3K329R,LF(T, VDSS 30 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2363575
Fabricante:
     Toshiba
N.º fabricante:
     SSM3K329R,LF(T
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
2363575
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V
Tipo de Encapsulado = SOT-23
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 2,89e+008 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima = 1V
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
3,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
2,89e+008 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
1V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: Toshiba, SSM3K329R,LF(T
Resumen de condiciones1
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Precio
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a partir de 500 unidades
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€ 0,12*
€ 0,145
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