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| N.º art.: 3318E-2352805 N.º fabricante: SCT2450KEHRC11 EAN/GTIN: Sin datos |
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| Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = TO-247N Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,45 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 4V Número de Elementos por Chip = 1 Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 10 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 1.200 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247N | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,45 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | SiC |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2352805, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, SCT2450KEHRC11 |
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