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| N.º art.:
3318E-2352796 N.º fabricante:
SCT2160KEHRC11 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 22 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V
Tipo de Encapsulado = TO-247N
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,16 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4V
Material del transistor = SiC Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 22 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 1.200 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247N | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,16 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | SiC |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2352796, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, SCT2160KEHRC11 |
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