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MOSFET ROHM R8003KNXC7G, VDSS 800 V, ID 3 A, TO-220FM de 3 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2352700
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     R8003KNXC7G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V
Tipo de Encapsulado = TO-220FM
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1,8 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4.5V
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
800 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220FM
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
1,8 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4.5V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: 2352700, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, R8003KNXC7G
Resumen de condiciones1
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a partir de 100 unidades
€ 1,61*
€ 1,95
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a partir de 500 unidades
€ 1,47*
€ 1,78
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