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MOSFET ROHM R6000ENHTB1, VDSS 600 V, ID 500 mA, SOP de 8 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2352676
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     R6000ENHTB1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 500 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V
Tipo de Encapsulado = SOP
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 8,8 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 5V
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
500 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
SOP
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
8,8 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: 2352676, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, R6000ENHTB1
Resumen de condiciones1
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a partir de 1000 unidades
€ 0,25*
€ 0,30
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