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| N.º art.:
3318E-2350605 N.º fabricante:
IST006N04NM6AUMA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 475 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V
Tipo de Encapsulado = HSOF-5
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,0006 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 3.3V
Material del transistor = Silicio Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 475 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 40 V | Tipo de Encapsulado: | HSOF-5 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 5 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,0006 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 3.3V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 2350605, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IST006N04NM6AUMA1 |
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