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Módulo MOSFET Infineon F445MR12W1M1B76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, AG-EASY2B, 4elementos


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2348968
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     F445MR12W1M1B76BPSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
2348968
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V
Tipo de Encapsulado = AG-EASY2B
Tipo de Montaje = Montaje roscado
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,045 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima = 5.55V
Material del transistor = SiC
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
1200 V
Tipo de Encapsulado:
AG-EASY2B
Serie:
F4
Tipo de Montaje:
Montaje roscado
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,045 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
5.55V
Número de Elementos por Chip:
4
Material del transistor:
SiC
Otros conceptos de búsqueda: Infineon, F445MR12W1M1B76BPSA1
Resumen de condiciones1
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Precio
a partir de € 96,605*
  
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a partir de 2 unidades
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€ 129,889
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a partir de 5 unidades
€ 96,605*
€ 116,892
por unidad
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