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MOSFET Infineon AIMW120R035M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 52 A, TO-247 de 3 pines


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2333487
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     AIMW120R035M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
2333487
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 52 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V
Serie = CoolSiC
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,035 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4.5V
Material del transistor = SiC
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
52 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
1.200 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Serie:
CoolSiC
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,035 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4.5V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
SiC
Otros conceptos de búsqueda: Infineon, AIMW120R035M1HXKSA1
Resumen de condiciones1
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€ 37,351
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a partir de 5 unidades
€ 29,562*
€ 35,77
por unidad
a partir de 10 unidades
€ 28,265*
€ 34,201
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a partir de 25 unidades
€ 26,315*
€ 31,841
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