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MOSFET Infineon IMW65R057M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 35 A, TO-247 de 3 pines


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2320392
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IMW65R057M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Serie = CoolSiC
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,074 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 5.7V
Material del transistor = Silicio
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Serie:
CoolSiC
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,074 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
5.7V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: 2320392, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IMW65R057M1HXKSA1
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
a partir de € 225,99*
  
Precio válido a partir de 3 envases
1 envase contiene 30 unidades (a partir de € 7,533* por unidad)
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Neto
Bruto
Unidad
1 envase
€ 253,92*
€ 307,243
por envase
a partir de 2 envases
€ 241,50*
€ 292,22
por envase
a partir de 3 envases
€ 225,99*
€ 273,448
por envase
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