N.º art.: 3318E-2282986
N.º fabricante: SUM90100E-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 150 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 200 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,0114 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 4V Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
150 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
200 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
TrenchFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,0114 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Si
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
2282986 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Vishay ,
SUM90100EGE3
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