N.º art.: 3318E-2282915
N.º fabricante: SIRA20BDP-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 335 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 25 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,00058 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 2.1V Número de Elementos por Chip = 2
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
335 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
25 V
Tipo de Encapsulado:
POWERPAK SO-8
Serie:
TrenchFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,00058 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.1V
Número de Elementos por Chip:
2
Material del transistor:
Si
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
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Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
2282915 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Vishay ,
SIRA20BDPT1GE3
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