N.º art.: 3318E-2282863
N.º fabricante: SiHG080N60E-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 35 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = E Series Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,08 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 5V Número de Elementos por Chip = 2
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247AC
Serie:
E Series
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,08 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Número de Elementos por Chip:
2
Material del transistor:
Si
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