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MOSFET Vishay SIHA24N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 9 A, TO-220 FP de 3 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2282837
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHA24N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
2282837
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 850 V
Serie = E Series
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,184 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4V
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
850 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220 FP
Serie:
E Series
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,184 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Si
Otros conceptos de búsqueda: Vishay, SIHA24N80AEGE3
Resumen de condiciones1
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Precio
a partir de € 2,446*
  
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€ 3,403
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a partir de 100 unidades
€ 2,649*
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a partir de 200 unidades
€ 2,446*
€ 2,96
por unidad
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